Salah satu produsen semikonduktor mutakhir terkemuka, telah berhasil menyelesaikan prototipe pertama dari perangkat modul memori terbarunya, yaitu Phase-change Random Access Memory (PRAM). Modul ini diharapkan akan mengganti NOR flash pada rentang waktu 10 tahun ke depan.

Dengan skalabilitas yang lebih dibandingkan dengan arsitektur memori biasa, PRAM memiliki kecepatan pemrosesan yang setara dengan RAM dari segi operasinya dikombinasikan dengan feature non-volatile dari memori flash dari segi penyimpanan. Julukan untuk PRAM: Perfect RAM.

Kelebihan utama dari PRAM ini adalah performanya yang sangat cepat. Hal ini dapat tercapai karena PRAM dapat menulis ulang data tanpa perlu menghapus data yang telah terakumulasi sebelumnya di dalam memori. Menurut klaim Samsung, PRAM dapat berjalan 30 kali lebih cepat dibandingkan memori flash konvensional. PRAM sangat kuat dan diestimasi dapat bertahan hingga 10 kali usia dari memori flash biasa.

PRAM akan menjadi pilihan kompetitif terhadap NOR flash.NOR/Not Or Flash merupakan teknologi lama yang memungkinkan data diakses secara acak (random) dari tempatnya. NOR juga mengakses data dalam potongan kecil (byte-per-byte). NOR Flash umumnya digunakan sebagai chip internal memory Handphone, PDA, BIOS Motherboard atau Memory Networking. PRAM akan tersedia di pasaran sekitar tahun 2008. Disain ukuran sel dari PRAM dibuat sebesar setengah dari ukuran NOR flash.

PRAM dikembangkan dengan mengunakan diode vertika dengan struktur transistor tiga dimensi yang biasa digunakan dalam pembuatan DRAM. PRAM ini memiliki ukuran sel sebesar 0,0467 um2 yang bebas dari noise antar cell, sehingga memungkinkan skalabilitas yang luas.

Adopsi dari teknologi PRAM ini diharapkan akan populer pada disain produk seperti handset dan aplikasi mobile lainnya, dimana kecepatan adalah faktor penting dalam memaksimalkan performa. Versi High-density dari PRAM akan diproduksi pertama kali dengan kapasitas sebesar 512Mb.